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FAI 微光发射显微镜(EMMI)
FAI Photo Emmission Microscope

 


 

 

 

 

FAI Crystal Vision 微光发射显微镜

FAI 微光发射显微镜用于检测半导体外部缺点引发的微光发射或微热发射来精确定位半导体器件的生效地位。经由过程利用差别范例的探测器,或设置装备摆设双激光扫描体系(SIFT),和共同响应的检测软件来完成对半导体元器件或芯片电路的微光、微热、光鼓励引诱生效测试等各类阐发手腕。

FAI的Crystal Vision微光发射显微镜体系对所设置装备摆设探测器的数目不限定,可挑选设置装备摆设从一个到咱们供给的一切型号的探测器和SIFT激光扫描头。

首要功效:

CCD探测器:波长探测规模 365nm 至 1190nm;带电子半导体系体例冷器(TEC)的CCD探测器,可冷却不变在 -40℃以下,无需利用风险的液氮制冷剂;CCD剖析度为1280x1024;像素暗电流<0.002 电子/秒;读噪声<7 个电子;持续搜集旌旗灯号时候从32毫秒至2小时。

InGaAs探测器:波长探测规模 900nm – 1750nm;带电子半导体系体例冷器(TEC)的InGaAs探测器,可冷却不变在 -40℃以下,无需利用风险的液氮制冷剂; InGaAs探测器分辩率为320x240,像素点尺寸为30 x 30um,更大的像素点面积能够搜集更少的光子,探测活络度是通俗640x480 InGaAs探测器的4倍;持续搜集旌旗灯号时候从1微秒到60分钟;有用波段规模内量子效力(QE)为 80-85%;活络度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec;量子效力>70 QE 在950-1700nm规模内。

VisGaAs 探测器:波长探测规模 500nm – 1800nm,代表了新手艺的VisGaAs 探测器笼盖了可见光-红外光波长检测规模,一个探头便可替换传统的CCD和InGaAs 两个探测器;半导体系体例冷器(TEC) ,可冷却不变在 -40℃以下。

SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)双波长激光扫描头:双激光源654nm和1428nm;经由过程激光扫描芯片电路,致使生效地位电阻产生变更,经由过程检测反应旌旗灯号的变更,从而检测到生效地位;SIFT扫描不受物镜视线限定,能够一次扫描完全全部检测地区,无需图象拼接,防止图象歪曲;FAI的恒定电流附加反应回路的手艺,岂但进步了检测活络度,并且防止了检测时电压太高的风险;恒定焦距的定镜扫描,能够将激光点逗留在肆意指定地位,用于确认生效点。

FMI荧光热成像手艺:FAI的微热阐发手艺,热分辩率是千分之一K(1/1000K),能够室温操纵,无需利用风险的液晶溶液。

LC液晶热成像手艺:FAI的SLC(不变液晶)液晶热成像手艺的热分辩率为百分之一K (1/100 K)。

Moire云纹成像:从硅片反面接纳“云纹图象成像”的体例来检测生效地位的微热变更。